腦氧模擬器
ESTO2
腦血氧技術(shù)規(guī)格:
1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 :0~100%;
2 組織氧飽和度模擬分辨率: 1%;
3 組織氧飽和度模擬誤差 :+-2%(40%~90%)以甲方提供樣機(jī)為標(biāo)準(zhǔn),具體需要參考甲方樣機(jī)算法,初步定為正負(fù) 2%;
4 輻射騷擾(RE): CLASS B;
5 靜電(ESD) 空氣 8 千伏,接觸 15 千伏(注:非直接接觸光學(xué)探頭);
6 標(biāo)準(zhǔn)要求 符合 YY0505:2012 和 IEC60601-1-2:2014。
腦氧模擬器
腦血氧技術(shù)規(guī)格:
1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 :0~100%;
2 組織氧飽和度模擬分辨率: 1%;
3 組織氧飽和度模擬誤差 :+-2%(40%~90%)以甲方提供樣機(jī)為標(biāo)準(zhǔn),具體需要參考甲方樣機(jī)算法,初步定為正負(fù) 2%;
4 輻射騷擾(RE): CLASS B;
5 靜電(ESD) 空氣 8 千伏,接觸 15 千伏(注:非直接接觸光學(xué)探頭);
6 標(biāo)準(zhǔn)要求 符合 YY0505:2012 和 IEC60601-1-2:2014。
腦血氧技術(shù)規(guī)格:
1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 :0~100%;
2 組織氧飽和度模擬分辨率: 1%;
3 組織氧飽和度模擬誤差 :+-2%(40%~90%)以甲方提供樣機(jī)為標(biāo)準(zhǔn),具體需要參考甲方樣機(jī)算法,初步定為正負(fù) 2%;
4 輻射騷擾(RE): CLASS B;
5 靜電(ESD) 空氣 8 千伏,接觸 15 千伏(注:非直接接觸光學(xué)探頭);
6 標(biāo)準(zhǔn)要求 符合 YY0505:2012 和 IEC60601-1-2:2014。